CSD13380F3 Tuba do efektów polowych MOS PICOSTAR3 Sitodruk D Oryginalny mosfet punktowy
|
RODZAJ
|
OPISAĆ
|
|---|---|
|
Kategoria
|
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Tranzystor - FET, MOSFET - Pojedynczy
|
|
producent
|
instrumenty teksańskie
|
|
seria
|
FemtoFET™
|
|
Stan produktu
|
w magazynie
|
|
Typ FET
|
Kanał N
|
|
technologia
|
MOSFET (tlenek metalu)
|
|
Napięcie źródła drenu (Vdss)
|
12V
|
|
Prąd przy 25°C — Ciągły drenaż (Id)
|
3,6 A (Ta)
|
|
Napięcie przemiennika (maks. Rds wł., min Rds wł.)
|
1,8V, 4,5V
|
|
Rezystancja (maks.) przy różnych Id, Vgs
|
76 miliomów przy 400mA, 4,5V
|
|
Vgs(th) (maksimum) przy różnych identyfikatorach
|
1,3V przy 250µA
|
|
Opłata bramki (Qg) przy różnych Vgs (maks.)
|
1,2nC przy 4,5V
|
|
Vgs (maks.)
|
8V
|
|
Pojemność wejściowa (Ciss) przy różnych Vds (maks.)
|
156 pF przy 6V
|
|
Funkcja FET
|
-
|
|
Rozpraszanie mocy (maks.)
|
500mW (Ta)
|
|
Temperatura robocza
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
typ instalacji
|
Typ montażu powierzchniowego
|
|
Opakowanie urządzenia dostawcy
|
3-PICOSTAR
|
|
Pakiet/Obudowa
|
3-XFDFN
|
|
Podstawowy numer produktu
|
CSD13380
|
